【聚焦】LED衬底为LED器件重要组成部分 我国高质量产品市场占比有望提高

　　LED衬底在生产过程中需对各项参数进行严格把控，以避免出现晶格失配、热失配、静电损伤等问题。 LED衬底指作为LED芯片基底材料使用的半导体材料，是LED器件重要组成部分。LED衬底需具备化学稳

　　多年技术积累下盈利能力强，业务结构有待优化 1月28日，上海合晶晚间披露股票发行公告：本次公开发行股票数量约为6621万股，发行后公司总共股本约为6.62亿股。发行价格为22.66元/股；2024年1月30日进行网上申购

　　近日，晶能光电发布12英寸硅衬底InGaN基红、绿、蓝全系列三基色Micro LED外延技术成果。

　　日前，兆驰半导体公开了一项紫外LED发明专利。该发明专利公开了一种深紫外LED外延片及其制备方法，突破材料、工艺、技术等关键难点。

　　近日，浙江鼎镓半导体携手相关紫外LED产品亮相第九届中国(上海)国际技术进出易会。如国内首张6英寸高功率深紫外LED外延片以及一系列深紫外LED芯片应用产品。

　　外延是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中，硅片最底层是P型衬底硅(有的加点埋层);然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层;再后来在外延层上注入基区、发射区等等。

　　氮化镓材料具有高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐照等优越性能；切合国家 “新基建”的国家战略需求，例如5G／6G、智能电动汽车，大数据中心等，氮化镓是支持新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件。

　　近日，为了解决晶片尺寸不匹配的问题并应对 microLED 生产产量方面的挑战，ALLOS 应用其独特的应变工程技术，展示了 200 mm 硅基氮化镓 （GaN－on－Si） 外延片的出色一致性和可重复性

　　11月25－27日，由深圳市龙华区科技创新局特别支持，国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中

　　紫外线虽然在太阳光中能量占比仅5％，但却广泛应用于人类生活。目前紫外光应用包括印刷固化、钱币防伪、皮肤病治疗、植物生长光照、破坏微生物如细菌、病毒等分子结构，因此广泛应用于空气杀菌、水体净化和固体表面除菌消毒等领域

　　尽管氮化镓（GaN）基LED在景观照明、室内照明、道路照明、背光源等应用领域已经成熟，Mini／Micro LED高清显示的应用领域也正在培育，并呈现了迅猛发展的势头。然而，经过二十多年的发展，业界一直最为关注的核心依旧是LED光效与成本。

　　LED衬底材料是半导体照明产业的基础材料，其决定了半导体照明技术的发展路线。目前，能作为LED衬底的材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、Zno等，但商用最广泛的是Al2O3、SiC、Si，因此形成了三条不同的技术路线

　　目前超高亮度白/蓝光LED的品质取决于氮化镓磊晶(GaN)的材料品质，而氮化镓磊晶品质则与所使用的蓝宝石基板表面加工品质息息相关，蓝宝石(单晶Al2O3 )C面与Ⅲ-Ⅴ和Ⅱ-Ⅵ族沉积薄膜之间的晶格常数失配率小，同时符合GaN 磊晶制程中耐高温的要求，使得蓝宝石晶片成为制作白/蓝/绿光LED的关键材料